Merci fir besicht Nature.com.Dir benotzt eng Browser Versioun mat limitéierter CSS Ënnerstëtzung.Fir déi bescht Erfahrung empfeelen mir Iech en aktualiséierte Browser ze benotzen (oder de Kompatibilitéitsmodus am Internet Explorer auszeschalten).Zousätzlech, fir weider Ënnerstëtzung ze garantéieren, weisen mir de Site ouni Stiler a JavaScript.
Weist e Karussell vun dräi Rutschen op eemol.Benotzt d'Previous an Next Knäppercher fir duerch dräi Rutschen gläichzäiteg ze réckelen, oder benotzt d'Slider Knäppercher um Enn fir duerch dräi Rutschen gläichzäiteg ze réckelen.
Hei beweise mir d'Imbibition-induzéiert, spontan a selektiv Befeuchtungseigenschaften vu Gallium-baséiert flëssege Metalllegierungen op metalliséierte Flächen mat mikroskala topographesche Fonctiounen.Gallium-baséiert flësseg Metalllegierungen sinn erstaunlech Materialien mat enormer Uewerflächespannung.Dofir ass et schwéier se an dënn Filmer ze bilden.Komplett Befeuchtung vun der eutektescher Legierung vu Gallium an Indium gouf op der mikrostrukturéierter Kupferfläch an der Präsenz vun HCl-Dampfer erreecht, déi den natierlechen Oxid aus der flësseger Metalllegierung geläscht huet.Dës Befeuchtung gëtt numeresch erkläert baséiert op dem Wenzel Modell an dem Osmoseprozess, wat weist datt d'Mikrostrukturgréisst kritesch ass fir effizient Osmose-induzéiert Befeuchtung vu flëssege Metalle.Zousätzlech beweise mir datt spontan Befeuchtung vu flëssege Metalle selektiv laanscht mikrostrukturéiert Regiounen op enger Metalloberfläche geriicht ka ginn fir Musteren ze kreéieren.Dësen einfache Prozess gleichméisseg beschichtet a formt flësseg Metall iwwer grouss Flächen ouni extern Kraaft oder komplex Handhabung.Mir hunn bewisen datt flësseg Metallmustere Substrater elektresch Verbindunge behalen, och wa se gestreckt sinn an no widderholl Zyklen vu Stretching.
Gallium baséiert flëssege Metalllegierungen (GaLM) hu vill Opmierksamkeet ugezunn wéinst hiren attraktiven Eegeschafte wéi niddereg Schmelzpunkt, héich elektresch Konduktivitéit, geréng Viskositéit a Flow, geréng Toxizitéit an héich Verformbarkeet1,2.Pure Gallium huet e Schmelzpunkt vu ronn 30 °C, a wann se an eutektesche Kompositioune mat e puer Metalle wéi In a Sn verschmolzelt sinn, ass de Schmelzpunkt ënner Raumtemperatur.Déi zwee wichteg GaLMs sinn Gallium Indium eutektesch Legierung (EGaIn, 75% Ga an 25% In duerch Gewiicht, Schmelzpunkt: 15,5 ° C) an Gallium Indium Zinn eutektesch Legierung (GaInSn oder Galinstan, 68,5% Ga, 21,5% In, an 10 % Zinn, Schmelzpunkt: ~11 °C) 1.2.Wéinst hirer elektrescher Konduktivitéit an der flësseger Phase ginn d'GaLMs aktiv ënnersicht als tensile oder deformable elektronesch Weeër fir eng Vielfalt vun Uwendungen, dorënner elektronesch 3,4,5,6,7,8,9 gespannt oder kromme Sensoren 10, 11, 12 , 13, 14 a féiert 15, 16, 17. D'Fabrikatioun vun esou Geräter duerch Oflagerung, Dréckerei a Mustere vu GaLM erfuerdert Wëssen a Kontroll iwwer d'Interfacial Eegeschafte vu GaLM a sengem ënnerierdesche Substrat.GaLMs hunn héich Uewerflächespannung (624 mNm-1 fir EGaIn18,19 an 534 mNm-1 fir Galinstan20,21) déi se schwéier maachen kann ze verschaffen oder manipuléieren.D'Bildung vun enger haarder Krust vun nativen Galliumoxid op der GaLM Uewerfläch ënner Ëmfeldbedéngungen bitt eng Schuel déi de GaLM an enger net-kugelgestalter Form stabiliséiert.Dëse Besëtz erlaabt GaLM gedréckt, implantéiert a Mikrokanälen, a Muster mat der Interface Stabilitéit erreecht duerch oxides19,22,23,24,25,26,27.Déi haart Oxid-Schuel erlaabt och GaLM op déi meescht glat Flächen ze halen, awer verhënnert datt Metalle mat enger niddereger Viskositéit fräi fléissen.Propagatioun vu GaLM op de meeschte Flächen erfuerdert Kraaft fir d'Oxidschuel ze briechen28,29.
Oxidschuelen kënnen zum Beispill mat staarken Säuren oder Basen ewechgeholl ginn.Beim Fehlen vun Oxiden formt GaLM Drëpsen op bal all Flächen wéinst hirer riseger Uewerflächespannung, awer et ginn Ausnahmen: GaLM befeucht Metallsubstrater.Ga formt metallesch Bindungen mat anere Metaller duerch e Prozess bekannt als "reaktiv Bewässerung"30,31,32.Dës reaktiv Bewässerung gëtt dacks ënnersicht an der Verontreiung vun Uewerflächeoxiden fir Metall-zu-Metall Kontakt ze erliichteren.Wéi och ëmmer, och mat nativen Oxiden am GaLM ass et gemellt ginn datt Metall-zu-Metall Kontakter bilden wann Oxide bei Kontakter mat glatter Metalloberflächen briechen29.Reaktiv Bewässerung resultéiert an niddrege Kontaktwinkelen a gudder Befeuchtung vun de meeschte Metallsubstrater33,34,35.
Bis haut si vill Studien iwwer d'Benotzung vun de favorabele Properties vun der reaktiver Befeuchtung vu GaLM mat Metaller duerchgefouert fir e GaLM Muster ze bilden.Zum Beispill gouf GaLM op geformte massive Metallbunnen applizéiert andeems se Schmieren, Rollen, Sprayen oder Schattenmasken34, 35, 36, 37, 38. Selektiv Bewässerung vu GaLM op hart Metaller erlaabt GaLM stabil a gutt definéiert Muster ze bilden.Wéi och ëmmer, déi héich Uewerflächespannung vu GaLM behënnert d'Bildung vun héich uniformen dënnen Filmer och op Metallsubstrater.Fir dëst Thema unzegoen, Lacour et al.huet eng Method gemellt fir glat, flaach GaLM dënn Filmer iwwer grouss Flächen ze produzéieren andeems se pure Gallium op Goldbeschichtete mikrostrukturéierte Substrate verdampen37,39.Dës Method erfuerdert Vakuumablagerung, wat ganz lues ass.Zousätzlech ass GaLM allgemeng net erlaabt fir sou Geräter wéinst méiglecher Verbrechung40.Verdampfung deposéiert och d'Material op de Substrat, sou datt e Muster erfuerderlech ass fir d'Muster ze kreéieren.Mir sichen no engem Wee fir glat GaLM Filmer a Mustere ze kreéieren andeems mir topographesch Metallfeatures designen déi GaLM spontan a selektiv befeucht an der Verontreiung vun natierlechen Oxiden.Hei berichte mir déi spontan selektiv Bewässerung vun oxidfräi EGaIn (typesch GaLM) mat dem eenzegaartege Befeuchtungsverhalen op photolithographesch strukturéiert Metallsubstrater.Mir kreéieren photolithographesch definéiert Uewerflächestrukturen um Mikroniveau fir d'Imbibitioun ze studéieren, an doduerch d'Befeuchtung vun oxidfräie flëssege Metaller ze kontrolléieren.Déi verbessert Befeuchtungseigenschaften vun EGaIn op mikrostrukturéiert Metalloberflächen ginn duerch numeresch Analyse erkläert op Basis vum Wenzel Modell an dem Imprägnatiounsprozess.Schlussendlech beweise mir grouss Gebitt Oflagerung a Musterung vun EGAIn duerch Selbstabsorptioun, spontan a selektiv Befeuchtung op mikrostrukturéiert Metalldepositiounsflächen.Spannelektroden a Spannungsmoossnamen déi EGaIn Strukturen integréieren ginn als potenziell Uwendungen presentéiert.
Absorptioun ass kapillär Transport an deem d'Flëssegkeet d'texturéiert Uewerfläch 41 invadéiert, wat d'Verbreedung vun der Flëssegkeet erliichtert.Mir ënnersicht der befeuchtung Verhalen vun EGaIn op metall microstructured Fläch an HCl Damp deposéiert (Fig. 1).Kupfer gouf als Metall fir déi ënnerierdesch Uewerfläch gewielt. Op flaach Kupferflächen huet EGaIn e klengen Kontaktwénkel vun <20 ° an der Präsenz vun HCl Damp gewisen, wéinst reaktivem Befeuchtung31 (Ergänzungsbild 1). Op flaach Kupferflächen huet EGaIn e klengen Kontaktwénkel vun <20 ° an der Präsenz vun HCl Damp gewisen, wéinst reaktivem Befeuchtung31 (Ergänzungsbild 1). (На плоских медных поверхностях EGaIn показал низкий краевой угол <20 ° в присутствии паров HCl из-зависавревид нительный рисунок 1). Op flaach Kupferflächen huet EGaIn en nidderegen <20 ° Kontaktwénkel an der Präsenz vun HCl Damp gewisen wéinst reaktivem Befeuchtung31 (Ergänzungsbild 1).在平坦的铜表面上，由于反应润湿，EGaIn 在存在HCl 蒸气的情况下显示凎甧显示凎凎1).在平坦的铜表面上，由于反应润湿，EGaIn在存在HCl (На плоских медных поверхностях EGAIn демонстрирует низкие краевые углы <20 ° в присутствии паров из-годис HCl из-вис полнительный рисунок 1). Op flaach Kupferflächen weist EGaIn niddereg <20 ° Kontaktwinkel an der Präsenz vun HCl Damp duerch reaktiv Bewässerung (Ergänzungsbild 1).Mir gemooss déi enk Kontakt Wénkel vun EGaIn op bulk Koffer an op Koffer Filmer deposéiert op polydimethylsiloxane (PDMS).
a Columnar (D (Duerchmiesser) = l (Distanz) = 25 µm, d (Distanz tëscht de Sailen) = 50 µm, H (Héicht) = 25 µm) a pyramidesch (Breet = 25 µm, Héicht = 18 µm) Mikrostrukturen op Cu /PDMS Substrate.b Zäit-ofhängeg Ännerungen am Kontaktwénkel op flaach Substrate (ouni Mikrostrukturen) an Arrays vu Piliere a Pyramiden mat Kupferbeschichtete PDMS.c, d Intervallopzeechnung vun (c) Säit Vue an (d) Top Vue vun EGaIn befeuchtung op der Uewerfläch mat Piliere an der Präsenz vun HCl Damp.
Fir den Effet vun der Topographie op d'Bewässerung ze bewäerten, goufen PDMS-Substrate mat engem columnar a pyramidale Muster virbereet, op deem Kupfer mat enger Titanklebstoffschicht deposéiert gouf (Fig. 1a).Et gouf bewisen datt d'mikrostrukturéiert Uewerfläch vum PDMS Substrat konform mat Kupfer beschichtet gouf (Ergänzlech Fig. 2).D'Zäit-ofhängeg Kontakt Wénkel vun EGaIn op Musteren a planar Koffer-sputtered PDMS (Cu / PDMS) sinn an Fig.1b.De Kontaktwénkel vun EGAIn op Muster Kupfer / PDMS fällt op 0 ° bannent ~ 1 min.Déi verbessert Befeuchtung vun EGaIn Mikrostrukture kann duerch d'Wenzel Equatioun \({{{{\rm{cos}}}}}}\,{\theta}_{{rough}}=r\,{{ {{{ \rm{ cos}}}}}}\,{\theta}_{0}\), wou \({\theta}_{{ru}}\) de Kontaktwénkel vun der rauer Uewerfläch duerstellt, \ (r \) Surface Rauhegkeet (= aktuell Fläch/scheinbar Fläch) a Kontaktwénkel am Fliger \({\theta}_{0}\).D'Resultater vun der verstäerkter Bewässerung vun EGaIn op de Musterflächen sinn am gudden Accord mam Wenzel Modell, well d'r Wäerter fir d'Réck a pyramidesch Musterflächen 1,78 respektiv 1,73 sinn.Dëst bedeit och datt en EGaIn Drop, deen op enger Musterfläch läit, an d'Rillen vum ënnerierdesche Relief penetréiert.Et ass wichteg ze bemierken datt ganz eenheetlech flaach Filmer an dësem Fall geformt ginn, am Géigesaz zum Fall mat EGaIn op onstrukturéiert Flächen (Ergänzungsbild 1).
Aus Fig.1c,d (Ergänzungsfilm 1) kann et gesi ginn datt no 30 s, wéi de scheinbare Kontaktwénkel op 0° kënnt, EGaIn ufänkt méi wäit vum Rand vum Tropfen ze diffuséieren, wat duerch Absorptioun verursaacht gëtt (Supplementary Movie 2 an Supplementary Fig. 3).Virdrun Studien vu flaach Flächen hunn d'Zäitskala vun der reaktiver Bewässerung mam Iwwergang vun Inertial bis viskos Bewässerung verbonnen.D'Gréisst vum Terrain ass ee vun de Schlësselfaktoren fir ze bestëmmen ob Selbstpriming geschitt.Andeems Dir d'Uewerflächenergie virun an no der Imbibitioun aus enger thermodynamescher Siicht vergläicht, gouf de kritesche Kontaktwénkel \({\theta}_{c}\) vun der Imbibitioun ofgeleet (kuckt Ergänzungsdiskussioun fir Detailer).D'Resultat \({\theta}_{c}\) ass definéiert als \({{{({\rm{cos))))))\,{\theta}_{c}=(1-{\ phi } _{S})/(r-{\phi}_{S})\) wou \({\phi}_{s}\) de Fraktiounsgebitt uewen um Post representéiert an \(r\ ) duerstellt Uewerfläch roughness. Imbibition ka geschéien wann \({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\), also de Kontaktwénkel op enger flächeger Uewerfläch. Imbibition ka geschéien wann \({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\), also de Kontaktwénkel op enger flächeger Uewerfläch. Впитывание может происходить, когда \ ({\ theta } _ {c} \) > \ ({\ theta } _ {0} \), т.е.контактный угол на плоской поверхности. Absorptioun ka geschéien wann \({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\), also de Kontaktwénkel op enger flächeger Uewerfläch.当\({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\)，即平面上的接触角时，会发生吸吸。当\({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\)，即平面上的接触角时，会发生吸吸。 Всасывание происходит, когда \ ({\ theta} _ {c} \) > \ ({\ theta} _ {0} \), контактный угол на плоскости. Saug geschitt wann \({\theta }_{c}\) > \({\theta }_{0}\), Kontaktwénkel um Fliger.Fir postmuster Flächen, \(r\) an \({\phi}_{s}\) gi berechent als \(1+\{(2\pi {RH})/{d}^{2} \ } \ ) an \(\pi {R}^{2}/{d}^{2}\), wou \(R\) de Kolonnradius duerstellt, \(H\) d'Kolonnhéicht duerstellt, an \ ( d\) ass d'Distanz tëscht den Zentren vun zwee Säulen (Fig. 1a).Fir d'poststrukturéiert Uewerfläch an Fig.1a ass de Wénkel \({\theta}_{c}\) 60°, wat méi grouss ass wéi de \({\theta}_{0}\) Plang (~25° ) am HCl Dampoxidfräi EGaIn op Cu/PDMS.Dofir kënnen d'EGaIn Drëpsen einfach op d'strukturéiert Kupferablagerungsfläch an der Fig.
Fir den Effet vun der topographescher Gréisst vum Muster op d'Befeuchtung an d'Absorptioun vun EGaIn z'ënnersichen, hu mir d'Gréisst vun de Kupferbeschichtete Piliere variéiert.Op Fig.2 weist d'Kontaktwinkelen an d'Absorptioun vun EGaIn op dëse Substrate.D'Distanz l tëscht de Sailen ass gläich mam Duerchmiesser vun de Sailen D a läit tëscht 25 an 200 μm.D'Héicht vu 25 µm ass konstant fir all Sailen.\({\theta}_{c}\) fällt mat der Erhéijung vun der Kolonngréisst (Tabelle 1), dat heescht datt d'Absorptioun manner wahrscheinlech op Substrate mat méi grousse Sailen ass.Fir all getest Gréissten, \({\theta}_{c}\) ass méi grouss wéi \({\theta}_{0}\) a Wicking gëtt erwaart.Allerdéngs ass d'Absorptioun selten observéiert fir post-muster Flächen mat l an D 200 µm (Fig. 2e).
en Zäit-ofhängege Kontaktwénkel vun EGAIn op enger Cu / PDMS Uewerfläch mat Saile vu verschiddene Gréissten no der Belaaschtung vum HCl Damp.b–e Uewer- a Säit Meenung vun EGaIn befeuchtung.b D = l = 25 µm, r = 1,78.an D = l = 50 μm, r = 1,39.dD = l = 100 µm, r = 1,20.eD = l = 200 µm, r = 1,10.All Posts hunn eng Héicht vu 25 µm.Dës Biller goufen op d'mannst 15 Minutte no der Belaaschtung fir HCl Damp gemaach.D'Drëpsen op EGaIn si Waasser aus der Reaktioun tëscht Galliumoxid an HCl Damp.All Skala Baren an (b - e) sinn 2 mm.
En anere Critère fir d'Wahrscheinlechkeet vun der Flëssegkeetsabsorption ze bestëmmen ass d'Fixatioun vun der Flëssegkeet op der Uewerfläch nodeems d'Muster applizéiert gouf.Kurbin et al.Et gouf gemellt datt wann (1) d'Posten héich genuch sinn, Drëpsen vun der Musterfläch absorbéiert ginn;(2) d'Distanz tëscht de Sailen ass zimlech kleng;an (3) de Kontaktwénkel vun der Flëssegkeet op der Uewerfläch ass genuch kleng42.Numeresch \({\theta}_{0}\) vun der Flëssegkeet op engem Fliger, deen datselwecht Substratmaterial enthält, muss manner sinn wéi de kritesche Kontaktwénkel fir Pinning, \({\theta}_{c,{pin))} \ ), fir d'Absorptioun ouni Pinning tëscht Posten, wou \({\theta}_{c,{Pin}}={{{{{\rm{arctan}}}}}}(H/\big \{ ( \ ), sqrt {2}-1)l\big\})\) (kuckt zousätzlech Diskussioun fir Detailer).De Wäert vun \({\theta}_{c,{Pin}}\) hänkt vun der Pingréisst of (Tabelle 1).Bestëmmt den Dimensiounslosen Parameter L = l / H fir ze beurteelen ob d'Absorptioun geschitt.Fir d'Absorptioun muss L manner wéi de Schwellstandard sinn, \({L}_{c}\) = 1/\(\big\{\big(\sqrt{2}-1\big){{\tan} } { \ theta}_{{0}}\large\}\).Fir EGaIn \(({\theta}_{0}={25}^{\circ})\) op engem Kupfersubstrat \({L}_{c}\) ass 5,2.Well d'L Kolonn vun 200 μm 8 ass, wat méi grouss ass wéi de Wäert vun \({L}_{c}\), geschitt d'EGaIn-Absorptioun net.Fir weider den Effet vun Geometrie Test, observéiert mir Self-priming vun verschiddenen H an l (Zousätzlech Lalumi 5 an Zousaz Table 1).D'Resultater stëmmen gutt mat eise Berechnungen.Also, L stellt sech als en effektive Predictor vun der Absorptioun aus;Flësseg Metal stoppt absorbéieren wéinst Pinning wann d'Distanz tëscht de Piliere relativ grouss ass am Verglach mat der Héicht vun de Piliere.
Befeuchtbarkeet kann op Basis vun der Uewerflächekompositioun vum Substrat bestëmmt ginn.Mir ënnersicht den Effet vun Uewerfläch Zesummesetzung op der befeuchtung an Absorptioun vun EGaIn vun Co-depositing Si an Cu op Piliere a Fligeren (Ergänzlech Fig. 6).Den EGaIn Kontaktwénkel fällt vun ~160° op ~80° erof wéi d'Si/Cu binär Uewerfläch vun 0 op 75% bei engem flaache Kupfergehalt eropgeet.Fir eng 75% Cu/25% Si Uewerfläch ass \({\theta}_{0}\) ~80°, wat dem \({L}_{c}\) entsprécht 0,43 no der uewe genannter Definitioun .Well d'Saile l = H = 25 μm mat L gläich wéi 1 méi grouss wéi d'Schwell \({L}_{c}\), absorbéiert d'75% Cu/25% Si Uewerfläch no der Musterung net wéinst der Immobiliséierung.Zënter datt de Kontaktwénkel vun EGaIn mat der Zousatz vu Si eropgeet, ass méi héich H oder manner l erfuerderlech fir Pinning an Imprägnatioun ze iwwerwannen.Dofir, well de Kontaktwénkel (dh \({\theta}_{0}\)) vun der chemescher Zesummesetzung vun der Uewerfläch hänkt, kann et och bestëmmen ob d'Imbibitioun an der Mikrostruktur geschitt.
EGaIn Absorptioun op Muster Kupfer / PDMS kann de flëssege Metal an nëtzlech Mustere naass maachen.Fir d'Mindestzuel vu Kolonnlinnen ze bewäerten, déi Imbibitioun verursaachen, goufen d'Befeuchtungseigenschaften vun EGaIn op Cu /PDMS mat Postmusterlinnen mat verschiddene Kolonnlinnnummeren vun 1 bis 101 observéiert (Figebam. 3).Befeuchtung geschitt haaptsächlech an der Postmusterregioun.D'EGaIn Wicking gouf zouverlässeg observéiert an d'Wickinglängt ass eropgaang mat der Unzuel vun de Reihen vu Sailen.Absorptioun geschitt bal ni wann et Poste mat zwou oder manner Linnen sinn.Dëst kann wéinst verstäerkten Kapillärdrock sinn.Fir d'Absorptioun an engem Kolumnmuster ze kommen, muss de Kapillärdruck, deen duerch d'Krümmung vum EGaIn Kapp verursaacht gëtt, iwwerwonne ginn (Ergänzungsbild 7).Unzehuelen e Krümmungsradius vun 12,5 µm fir eng eenzeg Zeil EGaIn Kapp mat engem Kolonnmuster, ass de Kapillärdruck ~0,98 atm (~ 740 Torr).Dësen héije Laplace-Drock kann d'Befeuchtung verhënneren, déi duerch d'Absorptioun vun EGaIn verursaacht gëtt.Och manner Reihen vu Sailen kënnen d'Absorptiounskraaft reduzéieren, déi duerch d'Kapillaraktioun tëscht EGaIn a Spalten ass.
Drëps EGAIn op strukturéiert Cu / PDMS mat Mustere vu verschiddene Breet (w) an der Loft (virun der Belaaschtung vum HCl Damp).Reihen vu Racken ab uewen: 101 (w = 5025 µm), 51 (w = 2525 µm), 21 (w = 1025 µm), an 11 (w = 525 µm).b Direktional Befeuchtung vun EGaIn op (a) no Belaaschtung fir HCl Damp fir 10 min.c, d Befeuchtung vun EGaIn op Cu / PDMS mat columnar Strukturen (c) zwou Reihen (w = 75 µm) an (d) eng Zeil (w = 25 µm).Dës Biller goufen 10 Minutte no der Belaaschtung fir HCl Damp gemaach.Skala Baren op (a, b) an (c, d) sinn 5 mm respektiv 200 µm.D'Pfeile an (c) weisen d'Krümmung vum EGaIn Kapp duerch d'Absorptioun un.
D'Absorptioun vun EGaIn am post-muster Cu / PDMS erlaabt EGaIn duerch selektiv befeuchtung geformt ginn (Fig. 4).Wann e Tropfen EGaIn op e Mustergebitt gesat gëtt an dem HCl Damp ausgesat ass, fällt den EGaIn Tropfen als éischt zesummen, a bildt e klenge Kontaktwénkel wéi d'Säure Skala läscht.Duerno fänkt d'Absorptioun vum Rand vum Drëps un.Grouss Fläch Musterung kann aus Zentimeter-Skala EGaIn erreecht ginn (Fig. 4a, c).Zënter datt d'Absorptioun nëmmen op der topographescher Uewerfläch geschitt, befeucht EGaIn nëmmen d'Mustergebitt a stoppt bal naass wann et eng flaach Uewerfläch erreecht.Dofir gi schaarf Grenze vun den EGAIn Mustere beobachtet (Fig. 4d, e).Op Fig.4b weist wéi EGaIn déi onstrukturéiert Regioun invadéiert, besonnesch ronderëm d'Plaz wou den EGaIn Drëps ursprénglech plazéiert gouf.Dëst war well de klengsten Duerchmiesser vun den EGaIn Drëpsen, déi an dëser Etude benotzt goufen, d'Breet vun de geformte Buschtawen iwwerschratt huet.Drëpsen EGAIn goufen op der Musterplaz duerch manuell Injektioun duerch eng 27-G Nadel a Sprëtz plazéiert, wat zu Drëpsen mat enger Mindestgréisst vun 1 mm resultéiert.Dëse Problem kann geléist ginn andeems Dir méi kleng EGaIn Drëpsen benotzt.Insgesamt weist Figur 4 datt spontan Bewässerung vun EGaIn kann induzéiert a geriicht ginn op mikrostrukturéiert Flächen.Am Verglach mat virdrun Aarbecht ass dëse Befeuchtungsprozess relativ séier a keng extern Kraaft ass erfuerderlech fir komplett Befeuchtung z'erreechen (Ergänzungstabell 2).
Emblème vun der Uni, de Buschtaf b, c a Form vun engem Blëtz.Déi absorbéierend Regioun ass mat enger Rei vu Sailen bedeckt mat D = l = 25 µm.d, vergréissert Biller vu Rippen an e (c).Skala Baren op (a–c) an (d, e) sinn 5 mm respektiv 500 µm.Op (c–e) ginn kleng Drëpsen op der Uewerfläch no der Adsorptioun a Waasser als Resultat vun der Reaktioun tëscht Galliumoxid an HCl Damp.Kee bedeitende Effekt vun der Waasserbildung op Befeuchtung gouf beobachtet.Waasser gëtt einfach duerch en einfachen Trocknungsprozess ewechgeholl.
Wéinst der flësseger Natur vun EGaIn kann EGaIn Beschichtete Cu / PDMS (EGaIn / Cu / PDMS) fir flexibel an stretchbar Elektroden benotzt ginn.Figur 5a vergläicht d'Resistenz Ännerungen vun original Cu / PDMS an EGaIn / Cu / PDMS ënner verschiddene Laascht.D'Resistenz vu Cu / PDMS klëmmt staark an der Spannung, während d'Resistenz vun EGaIn / Cu / PDMS niddereg an der Spannung bleift.Op Fig.5b an d weisen SEM Biller an entspriechend EMF Daten vu roude Cu / PDMS an EGaIn / Cu / PDMS virun an no Spannungsapplikatioun.Fir intakt Cu / PDMS, Verformung kann Rëss am haarde Cu Film op PDMS deposéiert wéinst Elastizitéit Mëssverständnis Rëss Ursaach.Am Géigesaz, fir EGaIn / Cu / PDMS, besetzt EGaIn nach ëmmer de Cu / PDMS Substrat gutt an hält elektresch Kontinuitéit ouni Rëss oder bedeitend Verformung och nodeems d'Belaaschtung ugewannt gëtt.D'EDS Daten bestätegt datt Gallium an Indium aus EGaIn gleichméisseg op de Cu / PDMS Substrat verdeelt goufen.Et ass bemierkenswäert datt d'Dicke vum EGaIn Film d'selwecht ass a vergläichbar mat der Héicht vun de Säulen. Dëst gëtt och duerch weider topographesch Analyse bestätegt, wou de relativen Ënnerscheed tëscht der Dicke vum EGaIn Film an der Héicht vum Post <10% ass (Ergänzungsbild 8 an Table 3). Dëst gëtt och duerch weider topographesch Analyse bestätegt, wou de relativen Ënnerscheed tëscht der Dicke vum EGaIn Film an der Héicht vum Post <10% ass (Ergänzungsbild 8 an Table 3). Это также подтверждается дальнейшим топографическим анализом, где относительная разница меженди тойлис столба составляет <10% (дополнительный рис. 8 et таблица 3). Dëst gëtt och duerch weider topographesch Analyse bestätegt, wou de relativen Ënnerscheed tëscht EGaIn Filmdicke a Kolonnhéicht <10% ass (Ergänzlech Fig. 8 an Table 3).进一步的形貌分析也证实了这一点，其中EGaIn 薄膜厚度与柱子高度之间兛度之间弯具具度与柱子高度之间弯8 vun 3). <10% Это также было подтверждено дальнейшим топографическим анализом, где относительная разница межди межди тойлщен й столба составляла <10% (дополнительный рис. 8 et таблица 3). Dëst war och duerch weider topographesch Analyse bestätegt, wou de relativen Ënnerscheed tëscht EGaIn Film deck a Kolonn Héicht war <10% (Ergänzlech Lalumi 8 an Table 3).Dës imbibition-baséiert Befeuchtung erlaabt d'Dicke vun EGaIn Beschichtungen gutt kontrolléiert a stabil ze halen iwwer grouss Flächen, wat soss Erausfuerderung ass wéinst senger flësseger Natur.Figuren 5c an e vergläichen d'Konduktivitéit an d'Resistenz géint Verformung vum ursprénglechen Cu/PDMS an EGaIn/Cu/PDMS.An der Demo huet d'LED ageschalt wann se mat onberéierten Cu / PDMS oder EGaIn / Cu / PDMS Elektroden verbonne sinn.Wann intakt Cu / PDMS gestreckt ass, schalt d'LED aus.Wéi och ëmmer, d'EGaIn / Cu / PDMS Elektroden bloufen och ënner Belaaschtung elektresch ugeschloss, an d'LED Luucht huet nëmme liicht gedréckt wéinst der verstäerkter Elektrodenresistenz.
eng Normaliséiert Resistenz ännert sech mat enger Erhéijung vun der Belaaschtung op Cu / PDMS an EGaIn / Cu / PDMS.b, d SEM Biller an Energie dispersiv Röntgenspektroskopie (EDS) Analyse virun (uewen) an no (ënnen) Polydiplexe gelueden an (b) Cu / PDMS an (d) EGaIn / Cu / Methylsiloxane.c, e LEDs verbonne mat (c) Cu / PDMS an (e) EGaIn / Cu / PDMS virun (uewen) an no (ënnen) Stretching (~ 30% Stress).D'Skalabar an (b) an (d) ass 50 µm.
Op Fig.6a weist d'Resistenz vun EGaIn / Cu / PDMS als Funktioun vun der Belaaschtung vun 0% bis 70%.D'Erhéijung an d'Erhuelung vun der Resistenz ass proportional zu der Verformung, wat am gudden Accord mam Pouillet Gesetz fir inkompressibel Materialien ass (R/R0 = (1 + ε)2), wou R Resistenz ass, R0 initial Resistenz ass, ε Belaaschtung 43 ass. Aner Studien hu gewisen datt wann se gestreckt sinn, fest Partikelen an engem flëssege Medium sech selwer ëmsetzen a méi gleichméisseg verdeelt ginn mat enger besserer Kohäsioun, an doduerch d'Erhéijung vum Drag 43, 44 reduzéieren. An dëser Aarbecht ass den Dirigent awer > 99% flëssegt Metal am Volume well d'Cu Filmer nëmmen 100 nm déck sinn. An dëser Aarbecht ass den Dirigent awer > 99% flëssegt Metal am Volume well d'Cu Filmer nëmmen 100 nm déck sinn. Однако в этой работе проводник состоит из >99% жидкого металла по объему, так как пленки Cu имещит 0.0. Wéi och ëmmer, an dëser Aarbecht besteet den Dirigent aus > 99% flëssege Metal am Volume, well d'Cu Filmer nëmmen 100 nm déck sinn.然而，在这项工作中，由于Cu 薄膜只有100 nm然而，在这项工作中，由于Cu 薄膜只有100 nm 厚，因此导体是>99%Wéi och ëmmer, an dëser Aarbecht, well de Cu-Film nëmmen 100 nm déck ass, besteet den Dirigent aus méi wéi 99% flëssege Metall (vum Volumen).Dofir erwaarden mir net datt Cu e wesentleche Bäitrag zu den elektromechaneschen Eegeschafte vun den Dirigenten mécht.
eng normaliséiert Ännerung vun der EGaIn / Cu / PDMS Resistenz versus Belaaschtung am Beräich 0-70%.Déi maximal Belaaschtung erreecht virum Echec vun der PDMS war 70% (Ergänzlech Fig. 9).Roude Punkte sinn theoretesch Wäerter virausgesot vum Puet Gesetz.b EGaIn / Cu / PDMS Konduktivitéitsstabilitéitstest während widderholl Stretch-Stretch-Zyklen.Eng 30% Belaaschtung gouf am zyklesche Test benotzt.D'Skalabar am Inset ass 0,5 cm.L ass déi initial Längt vun EGaIn / Cu / PDMS virum Ausdehnung.
De Moossfaktor (GF) dréckt d'Sensibilitéit vum Sensor aus a gëtt definéiert als de Verhältnis vun der Verännerung vun der Resistenz zu enger Verännerung vun der Belaaschtung45.GF erhéicht vun 1,7 bei 10% Belaaschtung op 2,6 bei 70% Belaaschtung wéinst der geometrescher Verännerung vum Metall.Am Verglach mat anere Spannungsmoossnamen ass de GF EGaIn / Cu / PDMS Wäert moderéiert.Als Sensor, obwuel säi GF vläicht net besonnesch héich ass, weist d'EGaIn / Cu / PDMS eng robust Resistenzännerung an Äntwert op eng niddereg Signal-to-Geräuschverhältnis Belaaschtung.Fir d'Konduktivitéitstabilitéit vun EGaIn / Cu / PDMS ze evaluéieren, gouf d'elektresch Resistenz während widderholl Stretch-Streck-Zyklen bei 30% Belaaschtung iwwerwaacht.Wéi an der Fig.6b, no 4000 Stretchzyklen ass de Resistenzwäert bannent 10% bliwwen, wat wéinst der kontinuéierlecher Skalabildung während widderholl Stretchzyklen46 kann sinn.Sou goufen d'laangfristeg elektresch Stabilitéit vun EGaIn / Cu / PDMS als stretchable Elektrode an d'Zouverlässegkeet vum Signal als Belaaschtung Jauge bestätegt.
An dësem Artikel diskutéiere mir déi verbessert Befeuchtungseigenschaften vu GaLM op mikrostrukturéiert Metalloberflächen verursaacht duerch Infiltratioun.Spontan komplett Bewässerung vun EGaIn gouf op columnar a pyramidal Metal Fläch an der Präsenz vun HCl Damp erreecht.Dëst kann numeresch erkläert ginn op Basis vum Wenzel Modell an dem Wickingprozess, deen d'Gréisst vun der Postmikrostruktur erfuerderlech fir Wicking-induzéiert Befeuchtung weist.Spontan a selektiv Bewässerung vun EGaIn, guidéiert vun enger mikrostrukturéierter Metalloberfläche, mécht et méiglech eenheetlech Beschichtungen iwwer grouss Flächen ze applizéieren a flësseg Metallmuster ze bilden.EGaIn-beschichtete Cu / PDMS Substrater behalen elektresch Verbindungen och wann se gestreckt sinn an no widderholl Stretchzyklen, wéi bestätegt duerch SEM, EDS, an elektresch Resistenzmiessungen.Zousätzlech ännert d'elektresch Resistenz vu Cu / PDMS, déi mat EGaIn beschichtet ass, reversibel an zouverlässeg am Verhältnis zu der ugewandter Belaaschtung, wat seng potenziell Uwendung als Belaaschtungssensor bezeechent.Méiglech Virdeeler, déi vum flëssege Metallbefeuchtungsprinzip, deen duerch d'Imbibitioun verursaacht gëtt, sinn wéi follegt: (1) GaLM Beschichtung a Muster kënnen ouni extern Kraaft erreecht ginn;(2) GaLM Befeuchtung op der Kupferbeschichtete Mikrostrukturfläch ass thermodynamesch.déi doraus resultéierend GaLM Film ass stabil och ënner Deformatioun;(3) d'Héicht vun der Kupferbeschichtete Kolonn änneren kann e GaLM Film mat kontrolléierter Dicke bilden.Zousätzlech reduzéiert dës Approche d'Quantitéit u GaLM déi néideg ass fir de Film ze bilden, well d'Pillaren en Deel vum Film besetzen.Zum Beispill, wann eng Array vu Säulen mat engem Duerchmiesser vun 200 μm (mat enger Distanz tëscht de Piliere vu 25 μm) agefouert gëtt, ass de Volume vu GaLM erfuerderlech fir Filmbildung (~ 9 μm3 / μm2) vergläichbar mam Filmvolumen ouni Sailen.(25 µm3/µm2).Allerdéngs muss an dësem Fall Rechnung gedroe ginn, datt d'theoretesch Resistenz, no Puet Gesetz geschat, och néng Mol erop.Insgesamt bidden déi eenzegaarteg Befeuchtungseigenschaften vu flëssege Metalle, déi an dësem Artikel diskutéiert ginn, en effiziente Wee fir flësseg Metaller op eng Vielfalt vu Substrate fir stretchbar Elektronik an aner opkomende Applikatiounen ze deposéieren.
PDMS Substrate goufen virbereet andeems d'Sylgard 184 Matrix (Dow Corning, USA) an d'Häerder an Verhältnisser vun 10: 1 an 15: 1 fir Tensile Tester vermëschen, gefollegt vun Aushärten an engem Ofen bei 60 ° C.Kupfer oder Silizium gouf op Siliziumwaferen (Silicon Wafer, Namkang High Technology Co., Ltd., Republik Korea) a PDMS Substrate mat enger 10 nm décke Titanklebstoffschicht mat engem personaliséierte Sputtersystem deposéiert.Columnar a pyramidal Strukture ginn op engem PDMS Substrat deposéiert mat engem Siliziumwafer photolithographesche Prozess.D'Breet an d'Héicht vum pyramidesche Muster sinn 25 respektiv 18 µm.D'Héicht vum Barmuster gouf op 25 µm, 10 µm an 1 µm fixéiert, a säin Duerchmiesser an d'Pitch variéiere vun 25 bis 200 µm.
De Kontaktwénkel vun EGaIn (Gallium 75,5% / Indium 24,5%, > 99,99%, Sigma Aldrich, Republik Korea) gouf mat engem Drop-Form Analyser (DSA100S, KRUSS, Däitschland) gemooss. De Kontaktwénkel vun EGaIn (Gallium 75,5% / Indium 24,5%, > 99,99%, Sigma Aldrich, Republik Korea) gouf mat engem Drop-Form Analyser (DSA100S, KRUSS, Däitschland) gemooss. Краевой угол EGaIn (галлий 75,5 %/индий 24,5 %, >99,99 %, Sigma Aldrich, Республика Корея) измеряли с помощолевисапа 0,0 KRUSS, Däitschland). De Randwénkel vun EGaIn (Gallium 75,5% / Indium 24,5%, > 99,99%, Sigma Aldrich, Republik Korea) gouf mat engem Drëpsanalysator (DSA100S, KRUSS, Däitschland) gemooss. EGaIn（镓75.5%/铟24.5%，>99.99%，Sigma Aldrich，大韩民国）的接触角使用滴形分枼伌彵分枼伌安分枼伌，安量. EGaIn (Gallium75.5%/indium24.5%, >99.99%, Sigma Aldrich, 大韩民国) gouf mat engem Kontaktanalysator gemooss (DSA100S, KRUSS, Däitschland). Краевой угол EGaIn (галлий 75,5%/индий 24,5%, >99,99%, Sigma Aldrich, Республика Корея) измеряли с помощрафиса 0,0 SS, Däitschland). De Randwénkel vun EGaIn (Gallium 75,5% / Indium 24,5%, > 99,99%, Sigma Aldrich, Republik Korea) gouf mat engem Form Cap Analyser (DSA100S, KRUSS, Däitschland) gemooss.Plaz de Substrat an enger 5 cm × 5 cm × 5 cm Glaskammer a setzt e 4-5 μl Tropfen EGAIn op de Substrat mat enger 0,5 mm Duerchmiesser Sprëtz.Fir en HCl Dampmedium ze kreéieren, gouf 20 μL HCl-Léisung (37 wt.%, Samchun Chemicals, Republik Korea) nieft dem Substrat plazéiert, wat genuch verdampft gouf fir d'Kammer innerhalb 10 s ze fëllen.
D'Uewerfläch gouf mat SEM (Tescan Vega 3, Tescan Korea, Republik Korea) ofgezeechent.EDS (Tescan Vega 3, Tescan Korea, Republik Korea) gouf benotzt fir elementar qualitativ Analyse a Verdeelung ze studéieren.D'EGaIn / Cu / PDMS Uewerfläch Topographie gouf mat engem opteschen Profilometer (The Profilm3D, Filmetrics, USA) analyséiert.
Fir d'Verännerung vun der elektrescher Konduktivitéit während Stretchzyklen z'ënnersichen, goufen d'Proben mat an ouni EGaIn op d'Stretchausrüstung (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Republik Korea) ageklemmt a goufen elektresch mat engem Keithley 2400 Quellmeter verbonnen. Fir d'Verännerung vun der elektrescher Konduktivitéit während Stretchzyklen z'ënnersichen, goufen d'Proben mat an ouni EGaIn op d'Stretchausrüstung (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Republik Korea) ageklemmt a goufen elektresch mat engem Keithley 2400 Quellmeter verbonnen. Для исследования измения электропроводности во время циклов растяжения образцы с EGaIn и без него залиор ия (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Республика Корея) a электрически подключали измерителю источника Keithley 2400. Fir d'Verännerung vun der elektrescher Konduktivitéit während Stretchzyklen ze studéieren, goufen Proben mat an ouni EGaIn op enger Stretchausrüstung montéiert (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Republik Korea) an elektresch mat engem Keithley 2400 Quellmeter verbonnen.Fir d'Verännerung vun der elektrescher Konduktivitéit während Stretchzyklen ze studéieren, goufen Proben mat an ouni EGaIn op engem Stretching-Apparat (Bending and Stretching Machine Systems, SnM, Republik Korea) montéiert an elektresch mat engem Keithley 2400 SourceMeter verbonnen.Mooss d'Ännerung vun der Resistenz am Beräich vun 0% bis 70% vun der Probebelaaschtung.Fir de Stabilitéitstest gouf d'Ännerung vun der Resistenz iwwer 4000 30% Belaaschtungszyklen gemooss.
Fir méi Informatioun iwwer Studiedesign, kuckt d'Naturstudie Abstrakt verbonne mat dësem Artikel.
Daten déi d'Resultater vun dëser Etude ënnerstëtzen, ginn an den Ergänzungsinformatioun a Raw Datadateien presentéiert.Dësen Artikel gëtt d'Original Donnéeën.
Daeneke, T. et al.Flësseg Metaller: Chemesch Basis an Uwendungen.Chemesch.Societeit.47, 4073-4111 (2018).
Lin, Y., Genzer, J. & Dickey, MD Attributer, Fabrikatioun, an Uwendungen vu Gallium-baséiert Flëssegket Metal Partikel. Lin, Y., Genzer, J. & Dickey, MD Attributer, Fabrikatioun, an Uwendungen vun Gallium-baséiert Flëssegket Metal Partikel.Lin, Y., Genzer, J. an Dickey, MD Properties, Fabrikatioun an Uwendung vun Gallium-baséiert Flëssegket Metal Deelchen. Lin, Y., Genzer, J. & Dickey, MD. Lin, Y., Genzer, J. & Dickey, MDLin, Y., Genzer, J. an Dickey, MD Properties, Fabrikatioun an Uwendung vun Gallium-baséiert Flëssegket Metal Deelchen.Fortgeschratt Wëssenschaft.7, 2000–192 (2020).
Koo, HJ, So, JH, Dickey, MD, & Velev, OD. Koo, HJ, So, JH, Dickey, MD & Velev, OD.Koo, HJ, So, JH, Dickey, MD, a Velev, OD Zu Circuiten, déi ganz aus mëller Matière komponéiert sinn: Prototypen vu quasi-flëssege Geräter mat memristorcharakteristiken. Koo, HJ, So, JH, Dickey, MD & Velev, OD. Koo, HJ, So, JH, Dickey, MD, Velev, ODKoo, HJ, So, JH, Dickey, MD, a Velev, OD Richtung Circuits All Soft Matter: Prototype vu Quasi-Flësseg Apparater mat Memristor Properties.Fortgeschratt Alma Mater.23, 3559-3564 (2011).
Bilodeau, RA, Zemlyanov, DY & Kramer, RK Liquid Metal Switches fir ëmweltfrëndlech Elektronik. Bilodeau, RA, Zemlyanov, DY & Kramer, RK Liquid Metal Switches fir ëmweltfrëndlech Elektronik.Bilodo RA, Zemlyanov D.Yu., Kramer RK Liquid Metal Switches fir ëmweltfrëndlech Elektronik. Bilodeau, RA, Zemlyanov, DY & Kramer, RK 用于环境响应电子产品的液态金属开关. Bilodeau RA, Zemljanov DY, Kramer RKBilodo RA, Zemlyanov D.Yu., Kramer RK Liquid Metal Switches fir ëmweltfrëndlech Elektronik.Fortgeschratt Alma Mater.Interface 4, 1600913 (2017).
Also, JH, Koo, HJ, Dickey, MD, & Velev, OD Ionesch Stroumrektifikatioun a Soft-Materialdioden mat flëssege Metallelektroden. Also, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD Ionesch Stroumrektifikatioun a Soft-Materialdioden mat flëssege Metallelektroden. Так, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD. Also, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD Ionesch Stroumrektifikatioun a mëll Materialdioden mat flëssege Metallelektroden. So, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD. Also, JH, Koo, HJ, Dickey, MD, & Velev, OD Так, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD. Also, JH, Koo, HJ, Dickey, MD & Velev, OD Ionesch Stroumrektifikatioun a mëll Materialdioden mat flëssege Metallelektroden.Erweidert Fäegkeeten.alma mater.22, 625-631 (2012).
Kim, M.-G., Brown, DK & Brand, O. Nanofabricatioun fir ganz mëll an héichdicht elektronesch Geräter baséiert op flëssege Metall. Kim, M.-G., Brown, DK & Brand, O. Nanofabricatioun fir ganz mëll an héichdicht elektronesch Geräter baséiert op flëssege Metall.Kim, M.-G., Brown, DK a Brand, O. Nanofabricatioun fir ganz mëll an héich Dicht flësseg Metal-baséiert elektronesch Apparater.Kim, M.-G., Brown, DK, a Brand, O. Nanofabricatioun vun héijer Dicht, ganz mëll Elektronik baséiert op flëssege Metall.National Gemeng.11, 1–11 (2020).
Guo, R. et al.Cu-EGaIn ass eng erweiderbar Elektroneschuel fir interaktiv Elektronik an CT Lokaliséierung.alma mater.Niveau.7. 1845–1853 (2020).
Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Hydroprinted electronics: ultradhin stretchable Ag-In-Ga E-skin for bioelectronics and human-machine interaction. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Hydroprinted electronics: ultradhin stretchable Ag-In-Ga E-skin for bioelectronics and human-machine interaction.Lopez, PA, Paysana, H., De Almeida, AT, Majidi, K., and Tawakoli, M. Hydroprinting Electronics: Ag-In-Ga Ultrathin Stretchable Electronic Skin for Bioelectronics and Human-Machine Interaction. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Hydroprinted Electronics: ultradhin stretchable Ag-In-Ga E-Skin for Bioelectronics and Human-Machine Interaction. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Hydroprinted Electronics: ultradhin stretchable Ag-In-Ga E-Skin for Bioelectronics and Human-Machine Interaction.Lopez, PA, Paysana, H., De Almeida, AT, Majidi, K., and Tawakoli, M. Hydroprinting Electronics: Ag-In-Ga Ultrathin Stretchable Electronic Skin for Bioelectronics and Human-Machine Interaction.ACS
Yang, Y. et al.Ultra-tensile an manipuléiert triboelectric Nanogeneratoren baséiert op flëssege Metaller fir wearable Elektronik.SAU Nano 12, 2027–2034 (2018).
Gao, K. et al.Entwécklung vu Mikrokanalstrukturen fir Iwwerstrecksensoren op Basis vu flëssege Metalle bei Raumtemperatur.d'Wëssenschaft.Bericht 9, 1–8 (2019).
Chen, G. et al.EGaIn superelastesch Kompositfaser kënnen 500% Spannbelastung widderstoen an hunn exzellent elektresch Konduktivitéit fir wearable Elektronik.ACS bezitt sech op Alma Mater.Interface 12, 6112-6118 (2020).
Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. Direkte Wiring vun eutektesche Gallium-Indium zu enger Metallelektrode fir mëll Sensorsystemer. Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. Direkte Wiring vun eutektesche Gallium-Indium zu enger Metallelektrode fir mëll Sensorsystemer.Kim, S., Oh, J., Jeon, D. a Bae, J. Direkte Bindung vun eutektesche Gallium-Indium op Metallelektroden fir mëll Sensingsystemer. Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. 将共晶镓-铟直接连接到软传感器系统的金属电极。 Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. 就共晶Gallium-Indium-Metallelektrode direkt un mëllen Sensorsystem befestegt.Kim, S., Oh, J., Jeon, D. a Bae, J. Direkt Bindung vun eutektesche Gallium-Indium op Metallelektroden fir mëll Sensorsystemer.ACS bezitt sech op Alma Mater.Interfaces 11, 20557–20565 (2019).
Yun, G. et al.Flësseg metallgefëllte magnetorheologesch Elastomere mat positiver Piezoelektrizitéit.National Gemeng.10, 1–9 (2019).
Kim.Nanolet.15, 5240-5247 (2015).
Guo, H., Han, Y., Zhao, W., Yang, J. & Zhang, L. Universell autonom Selbstheilung Elastomer mat héijer Stretchbarkeet. Guo, H., Han, Y., Zhao, W., Yang, J. & Zhang, L. Universell autonom Selbstheilung Elastomer mat héijer Stretchbarkeet.Guo, H., Han, Yu., Zhao, W., Yang, J., an Zhang, L. Versatile Self-heiling Elastomer mat héijer Elastizitéit. Guo, H., Han, Y., Zhao, W., Yang, J., & Zhang, L. 具有高拉伸性的通用自主自愈弹性体. Guo, H., Han, Y., Zhao, W., Yang, J., & Zhang, L.Guo H., Han Yu, Zhao W., Yang J. and Zhang L. Versatile offline selbstheilende High Tensile Elastomer.National Gemeng.11, 1–9 (2020).
Zhu X. et al.Ultradrawn metallesch konduktiv Faseren mat flëssege Metalllegierungskären.Erweidert Fäegkeeten.alma mater.23, 2308–2314 (2013).
Khan, J. et al.Studie vum elektrochemesche Pressen vu flëssege Metalldraad.ACS bezitt sech op Alma Mater.Interface 12, 31010–31020 (2020).
Lee H. et al.Verdampfung-induzéiert Sintering vu flëssege Metalldrëpsen mat Bionanofiber fir flexibel elektresch Konduktivitéit a reaktiounsfäeg Aktuatioun.National Gemeng.10, 1–9 (2019).
Dickey, MD et al.Eutectic Gallium-Indium (EGaIn): flësseg Metalllegierung benotzt fir stabil Strukturen a Mikrokanäl bei Raumtemperatur ze bilden.Erweidert Fäegkeeten.alma mater.18, 1097-1104 (2008).
Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Liquid Metal baséiert Soft Robotik: Materialien, Designen an Uwendungen. Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Liquid Metal baséiert Soft Robotik: Materialien, Designen an Uwendungen.Wang, X., Guo, R. a Liu, J. Soft Robotik baséiert op flëssege Metall: Materialien, Konstruktioun an Uwendungen. Wang, X., Guo, R. & Liu, J. 基于液态金属的软机器人：材料、设计和应用。 Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Liquid Metal-baséiert Soft Roboteren: Material, Design an Uwendungen.Wang, X., Guo, R. a Liu, J. Soft Roboter baséiert op flëssege Metal: Materialien, Konstruktioun an Uwendungen.Fortgeschratt Alma Mater.Technologie 4, 1800549 (2019).